食用過量會導致心臟和神經系統問題，研祥太應用甚至危及生命。

工業【圖文簡介】圖1(Bi1-xInx)2Se3薄膜表征a-c)Bi2Se3,(Bi0.4In0.6)2Se3和In2Se3薄膜的反射式高能電子衍射譜(RHEED)。圖2不同x值的(Bi1-xInx)2Se3薄膜隨著層數增加的能帶結構的演化?圖3不同x值，網交不同層數的(Bi1-xInx)2Se3薄膜的相的演化圖44層和10層(Bi1-xInx)2Se3薄膜隨著x值的變化的能帶結構演化【小結】研究者細致地研究了(Bi1-xInx)2Se3薄膜電學性質隨著層數和摻雜量x值的變化趨勢。

更重要的是，換機實驗確定了對于三維拓撲絕緣體的Bi2Se3二維極限（厚度小于6層），通過摻雜In改變SOC，二維拓撲絕緣體的能隙逐漸增大，見圖3a和圖4a。團隊利用分子束外延（MBE）的薄膜制備方式，數字化站精確控制(Bi1-xInx)2Se3的層厚和組份，數字化站并利用角分辨光電子能譜（ARPES）和DFT理論計算，對該體系的能帶結構進行了系統地研究，進一步通過層厚和摻雜作為調控手段，研究了該體系的拓撲相變行為。該研究成果發表在國際知名期刊NanoLetters上，變電文章題目為DimensionalCrossoverandTopologicalNatureoftheThinFilmsofaThree-DimensionalTopologicalInsulatorbyBandGapEngineering。

文章的通訊作者為國防科技大學王振宇（助理研究員），研祥太應用南方科技大學量子科學與工程研究院陳朝宇副研究員和物理系劉奇航副教授。工業拓撲絕緣體（TI）為未來的自旋電子學和量子計算帶來了巨大的希望。

網交文獻鏈接：DimensionalCrossoverandTopologicalNatureoftheThinFilmsofaThree-DimensionalTopologicalInsulatorbyBandGapEngineering,2019,NanoLetters,DOI：10.1021/acs.nanolett.9b01641.本文由金也供稿。

結合角分辨光電子能譜學(ARPES)和DFT帶隙演化分析，換機確定了(Bi1-xInx)2Se3薄膜從一個特定相位到另一個已知拓撲的相位的演化過程。未來，數字化站只有更為細分、更為專業、差異化于電視傳統功能的場景盒子才有機會獲得一席之地。

在1000元以上價格段，變電當貝以近七成的份額遙遙領先于其他品牌。為了應對智能電視的普及，研祥太應用智能盒子廠商也在積極探索與其他智能家居設備相連接，將應用場景從家庭娛樂擴展到視頻、辦公、教育、健身等場景。

盒子線上均價為220元，工業300元以上中高端市場份額不斷提升根據洛圖科技（RUNTO）線上數據顯示，工業8月，智能盒子線上平均成交價為220元，與上月基本持平。未來，網交更為細分、更為專業、差異化于電視傳統功能的場景盒子才有機會獲得一席之地。