據韓媒etnews今日報道，商自三星和LG已被證實正在開發基于高通芯片的XR設備。

坦白地說，查夸傳主盡管其合成是在相對較低的溫度下進行的，但目前其商業化的瓶頸在于合成效率低和成本高。張宣1999年進入中國科學院化學研究所工作。

O活性位點的活性不僅可以通過用其他TM原子代替最接近的原子（Ti）來調節，動清而且可以通過在其第二最接近的位點產生O空位來調節。其指導過的中國學生包括：理出北京大學劉忠范院士、北京航空航天大學江雷院士、中國科學院化學所姚建年院士。在超雙親/超雙疏功能材料的制備、格內表征和性質研究等方面，格內發明了模板法、相分離法、自組裝法、電紡絲法等多種有實用價值的超疏水性界面材料的制備方法。

商自2014年以成果低維光功能材料的控制合成與物化性能獲國家自然科學獎二等獎(第一獲獎人)。1997年首批入選百、查夸傳主千、萬人才工程第一、二層次。

主要從事仿生功能界面材料的制備及物理化學性質的研究，張宣揭示了自然界中具有特殊浸潤性表面的結構與性能的關系，張宣提出了二元協同納米界面材料設計體系。

動清1994年獲得吉林大學博士學位后繼續在東京大學做博士后研究。圖2?可充電半固態Zn||P-Bi2Se3電池在-20~25℃的電化學性能?2022The?authors圖3可充電半固態Zn||E-Bi2Se3電池在-20~25℃的電化學性能?2022The?authors?圖4本工作的具體性能與以往報告的比較?2022The?authorsE-Bi2Se3的Zn離子存儲機理研究本工作的發現清楚地表明，理出拓撲絕緣態對Zn||E-Bi2Se3體系獨特的低溫性能起著至關重要的作用。

格內這與之前報道的所有低溫電池不同。由于導帶和價帶的重疊，商自即使仍然保留Zn2+Bi2Se3的拓撲表面態，也很難區分拓撲態。

TEM觀察E-Bi2Se3完全放電后的結構和形態演變，查夸傳主呈現交錯的超薄納米片(圖5d)。第一作者：張宣YuweiZhao通訊作者：張宣支春義、朱文光、劉瑋書通訊單位：香港城市大學，中國(合肥)科技大學，南方科技大學論文doi：https://doi.org/10.1038/s41467-022-28380-y。